Категории
Горячие продукты

Сапфировая подложка
Пластины C-плоскости на сапфировой подложке для эпитаксии нитридов III-V при производстве полупроводниковых чипов Пластины C-плоскости на сапфировой подложке для эпитаксии нитридов III-V при производстве полупроводниковых чипов

Пластины C-плоскости на сапфировой подложке для эпитаксии нитридов III-V при производстве полупроводниковых чипов

Сапфировая подложка, устойчивая к высоким температурам и коррозии, с низким несоответствием решеток, идеально подходит для эпитаксиальных нитридных пластин III-V, таких как GaN, в производстве полупроводниковых чипов.
  • предмет номер. :

    CS-BS-JP1001
  • Material : Sapphire

  • описание

Свойства Сапфировой подложки


  • Устойчивость к высоким температурам и коррозии: Наша сапфировая подложка, разработанная для того, чтобы противостоять экстремальным температурам и агрессивным средам, сохраняет свою целостность и производительность даже в самых сложных условиях.

  • Отличная износостойкость: Обладая исключительной износостойкостью, эта подложка обеспечивает длительный срок службы и снижает необходимость частой замены, снижая общие затраты на техническое обслуживание.

  • Адаптация к суровым условиям работы: Независимо от того, работаете ли вы в высокотемпературных печах, на химических заводах или в других сложных условиях, наша сапфировая подложка разработана для работы в суровых условиях, обеспечивая надежную работу и стабильные результаты.

  • Низкий уровень несоответствия решеток: Благодаря низкому уровню несоответствия решеток эта подложка обеспечивает оптимальную совместимость с различными материалами и устройствами, повышая общую стабильность и надежность работы.

  • Стабильная производительность: Наша сапфировая подложка, известная своей стабильной и стабильной работой, является идеальным выбором для применений, требующих точности и надежности, гарантируя бесперебойную и эффективную работу ваших операций.



Применение Сапфировой подложки


  • Идеально подходит для эпитаксиальных пластин нитрида III-V: Наша сапфировая подложка служит идеальной основой для изготовления эпитаксиальных пластин нитрида III-V, таких как GaN. Это делает его идеальным выбором для производства микросхем в полупроводниковой промышленности, обеспечивая высокое качество и надежность результатов.

  • Применение в полупроводниковой промышленности: Наша подложка идеально подходит для полупроводниковой промышленности и поддерживает производство чипов, используемых в широком спектре применений, включая светодиоды, лазеры и мощную электронику.

  • Исключительные свойства материала: Сапфир известен своей исключительной твердостью, термической стабильностью и химической стойкостью. Эти свойства делают нашу подложку очень прочной и способной выдерживать суровые условия процессов производства полупроводников.

  • Точность и постоянство: Наша сапфировая подложка обеспечивает точность и постоянство толщины, плоскостности и качества поверхности. Это гарантирует, что производимые эпитаксиальные пластины имеют высочайшее качество и соответствуют строгим стандартам полупроводниковой промышленности.

  • Настраиваемые параметры: Чтобы удовлетворить разнообразные потребности наших клиентов, мы предлагаем настраиваемые параметры нашей сапфировой подложки. Если вам требуется определенный размер, толщина или обработка поверхности, мы можем адаптировать нашу подложку в соответствии с вашими требованиями.



Таблица размеров сапфировой подложки

Пожалуйста, предоставьте чертежи и требования к параметрам для настройки.


Сапфировая подложка C-плоскости (0001)
№ позиции Вч Диаметртер(мм) ТолщинаТолщинаï¼Î¼mï¼ ttv лук варп Пуритy
CS-BS-JP1001 1 дюйм 25,4±0,1 430±25 ttv < 5 мкм
лук < 5 мкм
деформация < 5 мкм
99,999%
CS-BS-JP1002 2 дюйма 50,8±0,1 430±25 ttv < 10 Ом
лук < 10 Ом
деформация < 10 мкм
99,999%
CS-BS-JP1003 3 дюйма 76,2±0,1 500±25 ttv < 15 Ом
лук < 15 Ом
деформация < 15 мкм
99,999%
CS-BS-JP1004 4 дюйма 100±0,1 650±25 ttv < 20 Ом
лук < 20 Ом
деформация < 20 мкм
99,999%
CS-BS-JP1005 5 дюймов 125±0,1 650±25 ttv < 20 мкм
лук < 20 Ом
Деформация < 20 мкм
99,999%
CS-BS-JP1006 6 дюймов 150±0,2 1300±25 ttv < 25 Ом
лук < 25 Ом
деформация < 25 мкм
99,999%
CS-BS-JP1007 8 дюймов 200±0,2 1300±25 ttv< 30 Ом
лук< 30 Ом
деформация< 30 Ом
99,999%


запросить бесплатную котировку

если у вас есть вопросы или предложения, пожалуйста, оставьте нам сообщение,

сопутствующие товары
запросить бесплатную котировку

если у вас есть вопросы или предложения, пожалуйста, оставьте нам сообщение,

  • CS PINTEREST
  • CS LINKEDIN
  • CS YOUTUBE
  • CS Facebook

Авторское право © 2000-2025 CS Ceramic Co.,Ltd.Все права защищены.

   

профессиональная команда для обслуживания !

теперь говорите

Живой чат

    оставьте сообщение, и мы свяжемся с вами по электронной почте. обычные чаты чата - пн-пт 9a-5p (est)