Металлизированная керамическая подложка AMB Si3N4 для упаковки устройств высокой мощности

Свойства подложки из металлизированного нитрида кремния

1. Отличное тепловое соответствие:
   • Коэффициент теплового расширения нашей подложки из нитрида кремния AMB точно соответствует коэффициенту теплового расширения кремниевых чипов, что обеспечивает превосходное термическое соответствие. Эта особенность устраняет необходимость в переходном слое, тем самым значительно снижая затраты на материалы и обработку. Благодаря такому эффективному управлению температурой надежность компонентов корпуса повышается, что идеально соответствует требованиям долговечности в высокопроизводительных приложениях.
2. Превосходная теплопроводность и высокая допустимая нагрузка по току:
   • Подложка из нитрида кремния AMB обладает исключительной теплопроводностью и значительной пропускной способностью по току. Эта комбинация позволяет создавать очень компактные корпуса микросхем, значительно увеличивая удельную мощность. Кроме того, улучшенное рассеивание тепла и электрические характеристики способствуют повышению надежности системы и устройств, что делает его идеальным выбором для новейших электронных устройств, востребованных на рынках Европы и Северной Америки.

Применениеносителей металлизированной подложки из нитрида кремния

1. Универсальное применение в высоковольтных и мощных устройствах:
   • Подложка из нитрида кремния AMB — это универсальная подложка для упаковки, предназначенная для высоковольтных и мощных устройств. Он служит основой для различных компонентов, включая модули питания, высокочастотные импульсные источники питания, реле, модули связи и светодиодные модули. Такая широкая применимость гарантирует, что он отвечает разнообразным потребностям современной электроники и электрических систем.
2. Идеальное сочетание с силовыми полупроводниковыми модулями SiC третьего поколения:
   • Наша подложка из нитрида кремния AMB особенно хорошо подходит для упаковки полупроводниковых силовых модулей SiC третьего поколения. Силовые модули SiC (карбид кремния) известны своей исключительной производительностью в условиях высокого напряжения и высоких температур, что делает их идеальными для применения в электромобилях, железнодорожном транспорте, интеллектуальных сетях, аэрокосмической отрасли и других передовых областях. В сочетании с силовыми модулями SiC подложка из нитрида кремния AMB еще больше повышает эффективность, надежность и долговечность этих критически важных компонентов, идеально согласуясь со строгими стандартами, требуемыми рынками Европы и Северной Америки.

Таблица размеров подложки из металлизированного нитрида кремния

Пожалуйста, предоставьте требования к чертежу и параметрам.